Stability and crystallization of amorphous clusters in crystalline Si

Sebastian Von Alfthan*, Adrian P. Sutton, Antti Kuronen, Kimmo Kaski

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

3 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

We have simulated using molecular dynamics the thermal stability and crystallization kinetics of nanometre-sized clusters of amorphous Si embedded in crystalline Si, which are of interest for phase-change memory devices. We have calculated the interfacial and bulk excess energies of the amorphous clusters, and studied their crystallization kinetics at 700-1500 K. At temperatures below (above) 1150 K the activation energy is 0.73 ± 0.04 eV (1.52 ± 0.07 eV), indicating a change of mechanism at 1150 K. We predict the stability of much larger amorphous clusters by extrapolating our simulation data using an analytic model.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut4263-4270
Sivumäärä8
JulkaisuJournal of physics: Condensed matter
Vuosikerta17
Numero27
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 13 heinäk. 2005
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Stability and crystallization of amorphous clusters in crystalline Si'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä