Split Ga vacancies: Abundant defects in β-Ga2O3

Filip Tuomisto*, Antti Karjalainen, Ilja Makkonen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

8 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We have applied positron annihilation spectroscopy to study a wide range of β-Ga2O3bulk crystals and thin films with various doping levels. The Doppler broadening of the 511 keV positron-electron annihilation line exhibits colossal anisotropy compared to other three-dimensional crystalline semiconductors. State-of-the-art theoretical calculations of the positron characteristics in the β-Ga2O3lattice reveal that the positron state is effectively 1-dimensional, giving rise to strong anisotropy. Strongly relaxed split Ga vacancies are found to exhibit even stronger anisotropy and to dominate the positron annihilation signals in almost all experiments. The evidence leads to the conclusion that split Ga vacancies are abundant, with concentration of 1018 cm-3 or more, in β-Ga2O3samples irrespective of conductivity.

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoOxide-Based Materials and Devices XII
ToimittajatDavid J. Rogers, David C. Look, Ferechteh H. Teherani
ISBN (elektroninen)9781510642096
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2021
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaOxide-Based Materials and Devices - Virtual, Online, Yhdysvallat
Kesto: 6 maaliskuuta 202111 maaliskuuta 2021
Konferenssinumero: 12

Julkaisusarja

NimiProceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering
KustantajaSPIE
Vuosikerta11687
ISSN (painettu)0277-786X
ISSN (elektroninen)1996-756X

Conference

ConferenceOxide-Based Materials and Devices
Maa/AlueYhdysvallat
KaupunkiVirtual, Online
Ajanjakso06/03/202111/03/2021

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Split Ga vacancies: Abundant defects in β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä