Spatial uniformity of black silicon induced junction photodiode responsivity

Juha Heinonen, Antti Haarahiltunen, Ville Vähänissi, Toni P. Pasanen, Hele Savin, Juha Toivanen, Mikko A. Juntunen

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference article in proceedingsScientificvertaisarvioitu

17 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Black silicon induced junction photodiodes have nearly ideal responsivity across a wide range of wavelengths between 175-1100 nm, with external quantum efficiency over 99 % at visible wavelengths, when a single spot is measured using light beam between 1 to 2mm in diameter. The spatial uniformity of responsivity is also an important characteristic of a high-quality photodiode, when considering its usage as a reference in photometry. We study here the spatial uniformity of responsivity of large area (8mmx8mm) black silicon photodiodes at 405 nm wavelength. Our results show that the spatial non-uniformity is less than 0.5 % over 90 % of the surface area, and thus the photodiodes meet the thigh criteria typically set for reference standards and are hence suitable for such application.
AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoOptical Components and Materials XX
ToimittajatShibin Jiang, Michel J. Digonnet
KustantajaSPIE
Sivumäärä7
ISBN (elektroninen)978-1-5106-5940-7
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 14 maalisk. 2023
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
TapahtumaOptical Components and Materials - San Francisco, Yhdysvallat
Kesto: 28 tammik. 20233 helmik. 2023
Konferenssinumero: 20

Julkaisusarja

NimiSPIE Conference Proceedings
KustantajaSPIE
ISSN (painettu)0277-786X

Conference

ConferenceOptical Components and Materials
Maa/AlueYhdysvallat
KaupunkiSan Francisco
Ajanjakso28/01/202303/02/2023

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Spatial uniformity of black silicon induced junction photodiode responsivity'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä