Single-Event Effects in the Peripheral Circuitry of a Commercial Ferroelectric Random Access Memory

A. L. Bosser, V. Gupta, A. Javanainen, G. Tsiligiannis, S. D. Lalumondiere, D. Brewe, V. Ferlet-Cavrois, H. Puchner, Heikki Kettunen, T. Gil, F. Wrobel, F. Saigne, Ari Virtanen, L. Dilillo

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

8 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

This paper identifies the failure modes of a commercial 130-nm ferroelectric random access memory. The devices were irradiated with heavy-ion and pulsed focused X-ray beams. Various failure modes are observed, which generate characteristic error patterns, affecting isolated bits, words, groups of pages, and sometimes entire regions of the memory array. The underlying mechanisms are discussed.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli8268559
Sivut1708-1714
Sivumäärä7
JulkaisuIEEE Transactions on Nuclear Science
Vuosikerta65
Numero8
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 elokuuta 2018
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Single-Event Effects in the Peripheral Circuitry of a Commercial Ferroelectric Random Access Memory'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä