Single-electron transistor made of multiwalled carbon nanotube using scanning probe manipulation

Leif Roschier, Jari Penttilä, Michel Martin, Pertti Hakonen, Mikko Paalanen, Unto Tapper, Esko I. Kauppinen, Catherine Journet, Patrick Bernier

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

95 Sitaatiot (Scopus)
213 Lataukset (Pure)

Abstrakti

A multiwalled carbon nanotube (MWNT) based single-electron transistors (SET) were manufactured using atomic force microscopy (AFM) manipulation. Its current-voltage characteristics were measured. Single-electron charging effects were shown through gate modulation. The results imply the MWNT to be semiconducting with a gap of 15 meV. The Coulomb staircase structure in the data agrees with the asymmetry of the tunnel junctions. The method combined with electron-beam soldering opens new possibilities to optimize junction parameters for specific purposes. This could give new opportunities in the fabrication of single electron transistors.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut728-730
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta75
Numero5
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2 elokuuta 1999
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • carbon nanotube
  • single-electron transistor

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Single-electron transistor made of multiwalled carbon nanotube using scanning probe manipulation'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä