Simultaneous determinationof indium and nitrogen contents of InGaAsN quantum wells by optical in-situ monitoring

outi Reentilä, Marco Mattila, Markku Sopanen, Harri Lipsanen

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    103 Lataukset (Pure)

    Abstrakti

    In situ monitoring of metal-organic vapor phase epitaxial growth of InGaAsN∕GaAs multiquantum wells is studied. The complex refractive index of InGaAsN is determined for several indium and nitrogen contents based on the fits to the reflectance curve. Taking advantage of the different effects caused by the incorporation of indium and nitrogen on the complex refractive index of InGaAsN, the InGaAsN quantum well nitrogen and indium contents are simultaneously determined in situ.
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Artikkeli231919
    Sivut1-3
    Sivumäärä3
    JulkaisuApplied Physics Letters
    Vuosikerta89
    Numero23
    DOI - pysyväislinkit
    TilaJulkaistu - 2006
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Simultaneous determinationof indium and nitrogen contents of InGaAsN quantum wells by optical in-situ monitoring'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

    Siteeraa tätä