Simulation of the response of divacancy and As-V complex in silicon to external elastic strains

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
JulkaisuPhysica B
Vuosikerta376-377
TilaJulkaistu - 2006
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • arsenic, silicon, strain, vacancy

ID: 3632471