Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

Päivikki Repo; Yameng Bao; Heli Seppänen; Perttu Sippola; Hele Savin

doi:10.1109/PVSC.2016.7750205

Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

Päivikki Repo, Yameng Bao, Heli Seppänen, Perttu Sippola, Hele Savin

Electron Physics Group (EPG)

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Conference article in proceedings › Scientific › vertaisarvioitu

6 Sitaatiot (Scopus)

Alkuperäiskieli	Englanti
Otsikko	Proceedings of the IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)
Kustantaja	IEEE
Sivut	2967-2970
Sivumäärä	4
ISBN (elektroninen)	978-1-5090-2724-8
DOI - pysyväislinkit	https://doi.org/10.1109/PVSC.2016.7750205
Tila	Julkaistu - 18 marrask. 2016
OKM-julkaisutyyppi	A4 Artikkeli konferenssijulkaisussa
Tapahtuma	IEEE Photovoltaic Specialists Conference - Portland, Yhdysvallat Kesto: 5 kesäk. 2016 → 10 kesäk. 2016 Konferenssinumero: 43

Conference

Conference	IEEE Photovoltaic Specialists Conference
Lyhennettä	PVSC
Maa/Alue	Yhdysvallat
Kaupunki	Portland
Ajanjakso	05/06/2016 → 10/06/2016

Pääsy asiakirjaan

10.1109/PVSC.2016.7750205

OtaNano Nanofab
Repo, P. (Manager) & Rissanen, A. (Other)
OtaNano
Laitteistot/tilat: Facility

Siteeraa tätä

@inproceedings{b3e17dab7195443cac3a08db87da1c38,

title = "Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride",

keywords = "aluminum nitride, atomic layer deposition, surface passivation",

author = "P{\"a}ivikki Repo and Yameng Bao and Heli Sepp{\"a}nen and Perttu Sippola and Hele Savin",

year = "2016",

month = nov,

day = "18",

doi = "10.1109/PVSC.2016.7750205",

language = "English",

pages = "2967--2970",

booktitle = "Proceedings of the IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)",

publisher = "IEEE",

address = "United States",

note = "IEEE Photovoltaic Specialists Conference, PVSC ; Conference date: 05-06-2016 Through 10-06-2016",

}

Repo, P , Bao, Y , Seppänen, H, Sippola, P & Savin, H 2016, Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride. julkaisussa Proceedings of the IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)., 7750205, IEEE, Sivut 2967-2970, IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Portland, Oregon, Yhdysvallat, 05/06/2016. https://doi.org/10.1109/PVSC.2016.7750205

TY - GEN

T1 - Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

AU - Repo, Päivikki

AU - Bao, Yameng

AU - Seppänen, Heli

AU - Sippola, Perttu

AU - Savin, Hele

N1 - Conference code: 43

PY - 2016/11/18

Y1 - 2016/11/18

KW - aluminum nitride

KW - atomic layer deposition

KW - surface passivation

U2 - 10.1109/PVSC.2016.7750205

DO - 10.1109/PVSC.2016.7750205

M3 - Conference article in proceedings

SP - 2967

EP - 2970

BT - Proceedings of the IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference (PVSC)

PB - IEEE

T2 - IEEE Photovoltaic Specialists Conference

Y2 - 5 June 2016 through 10 June 2016

ER -

Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

Conference

Pääsy asiakirjaan

Laitteet

OtaNano Nanofab

Siteeraa tätä