Silicon Surface Passivation by Mixed Aluminum Precursors in Al2O3 Atomic Layer Deposition

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

7 Sitaatiot (Scopus)
131 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Dimethylaluminum chloride (DMACl) is a cost-effective aluminium precursor alternative to conventional trimethylaluminium (TMA) for Atomic Layer Deposited (ALD) Al2O3. The DMACl water process shows better passivation after high temperature firing when compared with conventional TMA water process. However, after low-temperature post-anneal its passivation quality is slightly worse than with TMA. Here we show that a mixed use of TMA and DMACl precursors in the ALD process results in better surface passivation both after 400 °C post-anneal and after an 800 °C firing step. The high-quality passivation results from the low interface defect density and high negative charge at the surface. Specifically, we investigate the role of chlorine in the ALD Al2O3 passivation by varying the TMA and DMACl pulse proportions.
AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko6th International Conference on Silicon Photovoltaics, SiliconPV 2016
KustantajaElsevier
Sivut304-308
Sivumäärä5
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 23 syyskuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaInternational Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics - Chambéry, Ranska
Kesto: 7 maaliskuuta 20169 maaliskuuta 2016
Konferenssinumero: 6

Julkaisusarja

NimiENERGY PROCEDIA
KustantajaElsevier
Vuosikerta92
ISSN (elektroninen)1876-6102

Conference

ConferenceInternational Conference on Crystalline Silicon Photovoltaics
LyhennettäSiliconPV
MaaRanska
KaupunkiChambéry
Ajanjakso07/03/201609/03/2016

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Silicon Surface Passivation by Mixed Aluminum Precursors in Al2O3 Atomic Layer Deposition'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä