Silicon full wafer bonding with atomic layer deposited titanium dioxide and aluminum oxide intermediate films

R. L. Puurunen*, T. Suni, O. M E Ylivaara, H. Kondo, M. Ammar, T. Ishida, H. Fujita, A. Bosseboeuf, S. Zaima, H. Kattelus

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

15 Sitaatiot (Scopus)

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Silicon full wafer bonding with atomic layer deposited titanium dioxide and aluminum oxide intermediate films'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Engineering