Si nanoparticle interfaces in Si/SiO2 solar cell materials

S. Kilpeläinen, J. Kujala, F. Tuomisto, J. Slotte, Y.-W. Lu, A. Nylandsted Larsen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

4 Sitaatiot (Scopus)
59 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Novel solar cell materials consisting of Si nanoparticles embedded in SiO2 layers have been studied using positron annihilation spectroscopy in Doppler broadening mode and photoluminescence. Two positron-trapping interface states are observed after high temperature annealing at 1100 °C. One of the states is attributed to the (SiO2/Si bulk) interface and the other to the interface between the Si nanoparticles and SiO2. A small reduction in positron trapping into these states is observed after annealing the samples in N2 atmosphere with 5% H2. Enhanced photoluminescence is also observed from the samples following this annealing step.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli164316
Sivut1-4
Sivumäärä4
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta114
Numero16
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2013
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • nanoparticle
  • positron
  • silicon
  • silicon dioxide
  • solar cell

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Si nanoparticle interfaces in Si/SiO2 solar cell materials'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä