Shot noise in ballistic graphene

R. Danneau, F. Wu, M.F. Cracium, S. Russo, M. Y. Tomi, J. Salmilehto, A.F. Morpurgo, P. J. Hakonen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

184 Sitaatiot (Scopus)
19 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We have investigated shot noise in graphene field effect devices in the temperature range of 4.2–30 K at low frequency (f=600–850  MHz). We find that for our graphene samples with a large width over length ratio W/L, the Fano factor F reaches a maximum F∼1/3 at the Dirac point and that it decreases strongly with increasing charge density. For smaller W/L, the Fano factor at Dirac point is significantly lower. Our results are in good agreement with the theory describing that transport at the Dirac point in clean graphene arises from evanescent electronic states.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli196802
Sivut1-4
Sivumäärä4
JulkaisuPhysical Review Letters
Vuosikerta100
Numero19
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2008
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • Dirac point
  • graphene field
  • two-dimensional carbon

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Shot noise in ballistic graphene'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä