Self interstitials in c-Si: structure and migration mechanisms

J.-L. Mozos, R.M. Nieminen

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaChapterScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoProperties of Crystalline Silicon, EMIS Datareviews Series No. 20
ToimittajatR. Hull
JulkaisupaikkaLondon, United Kingdom
KustantajaINSPEC, The Institution of Electrical Engineers
Sivut319
TilaJulkaistu - 1999
OKM-julkaisutyyppiA3 Kirjan osa tai toinen tutkimuskirja

Siteeraa tätä

Mozos, J-L., & Nieminen, R. M. (1999). Self interstitials in c-Si: structure and migration mechanisms. teoksessa R. Hull (Toimittaja), Properties of Crystalline Silicon, EMIS Datareviews Series No. 20 (Sivut 319). INSPEC, The Institution of Electrical Engineers.