Self interstitials in c-Si: structure and migration mechanisms

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Chapter › Scientific › vertaisarvioitu

Alkuperäiskieli	Englanti
Otsikko	Properties of Crystalline Silicon, EMIS Datareviews Series No. 20
Toimittajat	R. Hull
Julkaisupaikka	London, United Kingdom
Kustantaja	Institution of Electrical Engineers (IEE)
Sivut	319
Tila	Julkaistu - 1999
OKM-julkaisutyyppi	A3 Kirjan tai muun kokoomateoksen osa

Siteeraa tätä

@inbook{bc7a93ea385547368c09a068b00051f3,

title = "Self interstitials in c-Si: structure and migration mechanisms",

author = "J.-L. Mozos and R.M. Nieminen",

year = "1999",

language = "English",

pages = "319",

editor = "R. Hull",

booktitle = "Properties of Crystalline Silicon, EMIS Datareviews Series No. 20",

publisher = "Institution of Electrical Engineers (IEE)",

address = "United Kingdom",

}