Room-temperature observation of impurity states in bulk GaAs by photoreflectance

Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli

Tutkijat

Organisaatiot

Kuvaus

Photoreflectance (PR) experiments are performed on thick GaAs/GaAs epitaxial layers and on a nearly perfect GaAs single crystal. The first observations of PR spectra induced by impurities (shallow acceptors) in bulk semiconductors like gallium arsenide are reported.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2556-2557
Sivumäärä2
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta65
Numero6
TilaJulkaistu - 1989
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Lataa tilasto

Ei tietoja saatavilla

ID: 5535028