Room-Temperature Plasticity of a Nanosized GaN Crystal

Masaki Fujikane*, Shijo Nagao, Dariusz Chrobak, Toshiya Yokogawa, Roman Nowak

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliLetterScientificvertaisarvioitu

5 Sitaatiot (Scopus)
94 Lataukset (Pure)

Abstrakti

GaN wurtzite crystal is commonly regarded as eminently brittle. However, our research demonstrates that nanodeconfined GaN compressed along the M direction begins to exhibit room-temperature plasticity, yielding a dislocation-free structure despite the occurrence of considerable, irreversible deformation. Our interest in M-oriented, strained GaN nanoobjects was sparked by the results of first-principles bandgap calculations, whereas subsequent nanomechanical tests and ultrahigh-voltage (1250 kV) transmission electron microscopy observations confirmed the authenticity of the phenomenon. Moreover, identical experiments along the C direction produced only a quasi-brittle response. Precisely how this happens is demonstrated by molecular dynamics simulations of the deformation of the C- and M-oriented GaN frustum, which mirror our nanopillar crystals.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut6425–6431
Sivumäärä7
JulkaisuNano Letters
Vuosikerta21
Numero15
Varhainen verkossa julkaisun päivämäärä27 heinäk. 2021
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 11 elok. 2021
OKM-julkaisutyyppiB1 Kirjoitus tieteellisessä aikakauslehdessä

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Room-Temperature Plasticity of a Nanosized GaN Crystal'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä