rf-electrometer using a carbon nanotube resonant tunneling transistor

Lorenz G. Lechner, Fan Wu, Romain Danneau, Søren E. Andresen, Pertti Hakonen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

2 Sitaatiot (Scopus)
33 Lataukset (Pure)

Abstrakti

We have studied resonant tunneling transistors (RTT) made of single-walled carbon nanotube quantum dots in the Fabry–Pérot regime. We show sensitivity to input charge as high as 5×10−6 e/Hz1/2 with a carrier frequency of 719 MHz at 4.2 K. This result is comparable to the best values of charge sensitivity so far reported for radio frequency single electron transistors (rf-SET). Unlike SETs, whose operating temperature is limited as Coulomb blockade vanishes as 1/T, a RTT can operate at higher temperatures, since the dephasing length lϕ∝1/T2/3.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli084316
Sivut1-3
Sivumäärä3
JulkaisuJournal of Applied Physics
Vuosikerta107
Numero8
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2010
OKM-julkaisutyyppiA1 Alkuperäisartikkeli tieteellisessä aikakauslehdessä

Tutkimusalat

  • carbon nanotube
  • rf-electromete

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'rf-electrometer using a carbon nanotube resonant tunneling transistor'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä