Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • V. N. Trukhin
  • A. D. Bouravleuv
  • I. A. Mustafin
  • G. E. Cirlin
  • D. I. Kuritsyn
  • V. V. Rumyantsev
  • S. V. Morosov
  • J. P. Kakko
  • Teppo Huhtio

  • Harri Lipsanen

Organisaatiot

  • St. Petersburg National Research University of Information Technologies, Mechanics and Optics (ITMO)
  • Russian Academy of Sciences
  • Nizhny Novgorod State University
  • RAS - Ioffe Physico Technical Institute

Kuvaus

The paper presents the results of experimental studies of the generation of terahertz radiation in periodic arrays of GaAs nanowires via excitation by ultrashort optical pulses. It is found that the generation of THz radiation exhibits resonant behavior due to the resonant excitation of cylindrical modes in the nanowires. At the optimal geometric parameters of the nanowire array, the generation efficiency is found to be higher than that for bulk p-InAs, which is one of the most effective coherent terahertz emitters.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1561-1565
Sivumäärä5
JulkaisuSemiconductors
Vuosikerta50
Numero12
TilaJulkaistu - 1 joulukuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 10712054