Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires

V. N. Trukhin*, A. D. Bouravleuv, I. A. Mustafin, G. E. Cirlin, D. I. Kuritsyn, V. V. Rumyantsev, S. V. Morosov, J. P. Kakko, T. Huhtio, H. Lipsanen

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

The paper presents the results of experimental studies of the generation of terahertz radiation in periodic arrays of GaAs nanowires via excitation by ultrashort optical pulses. It is found that the generation of THz radiation exhibits resonant behavior due to the resonant excitation of cylindrical modes in the nanowires. At the optimal geometric parameters of the nanowire array, the generation efficiency is found to be higher than that for bulk p-InAs, which is one of the most effective coherent terahertz emitters.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut1561-1565
Sivumäärä5
JulkaisuSemiconductors
Vuosikerta50
Numero12
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 1 joulukuuta 2016
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Laitteet

    OtaNano

    Anna Rissanen (Manager)

    Aalto-yliopisto

    Laitteistot/tilat: Facility

  • Siteeraa tätä

    Trukhin, V. N., Bouravleuv, A. D., Mustafin, I. A., Cirlin, G. E., Kuritsyn, D. I., Rumyantsev, V. V., ... Lipsanen, H. (2016). Resonant features of the terahertz generation in semiconductor nanowires. Semiconductors, 50(12), 1561-1565. https://doi.org/10.1134/S1063782616120241