Reliability Performance of Au-Sn and Cu-Sn Wafer Level SLID Bonds for MEMS

Hongbo Xu, Antti Rautiainen, Vesa Vuorinen, Elmeri Österlund, Tommi Suni, Hannele Heikkinen, Philippe Monnoyer, Mervi Paulasto-Kröckel

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

7 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

Wafer level Solid-Liquid Interdiffusion (SLID) bonding is used to encapsulate MEMS devices. The metals in SLID bonds can improve the reliability by absorbing mechanical and thermo-mechanical stresses. In this paper, the reliability of wafer level Au-Sn-(Ni) and Cu-Sn SLID bonds was systematically characterized and evaluated with shear/tensile tests, shear fatigue test, mixed flow gas (MFG) test, high temperature storage (HTS) test and thermal shock (TS) test. The failure modes and physical mechanisms were analyzed. Overall, the results demonstrated the high mechanical strength and reliability of SLID bonds. Utilizing the reliability results the design of seal bonds for MEMS encapsulation could be improved.
AlkuperäiskieliEnglanti
Otsikko5th Electronics System-Integration Technology Conference (ESTC), Helsinki, Finland, 16 18, 2014
KustantajaIEEE
Sivumäärä5
ISBN (elektroninen)978-1-4799-4026-4
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaElectronics System-Integration Technology Conference - Helsinki, Suomi
Kesto: 16 syyskuuta 201418 syyskuuta 2014
Konferenssinumero: 5

Conference

ConferenceElectronics System-Integration Technology Conference
LyhennettäESTC
Maa/AlueSuomi
KaupunkiHelsinki
Ajanjakso16/09/201418/09/2014

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Reliability Performance of Au-Sn and Cu-Sn Wafer Level SLID Bonds for MEMS'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä