Reduction of threading dislocation density in A1_(0.12)Ga_(0.88)N epilayers by a multistep technique
Tutkimustuotos: Lehtiartikkeli › › vertaisarvioitu
Tutkijat
Organisaatiot
Yksityiskohdat
Alkuperäiskieli | Englanti |
---|---|
Sivut | 276-280 |
Julkaisu | Journal of Crystal Growth |
Vuosikerta | 298 |
Tila | Julkaistu - 2007 |
OKM-julkaisutyyppi | A1 Julkaistu artikkeli, soviteltu |
- A1GaN, MOCVD, nucleation, threading dislocations
Tutkimusalat
ID: 3412982