Reduction of threading dislocation density in A1_(0.12)Ga_(0.88)N epilayers by a multistep technique

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut276-280
JulkaisuJournal of Crystal Growth
Vuosikerta298
TilaJulkaistu - 2007
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • A1GaN, MOCVD, nucleation, threading dislocations

ID: 3412982