Reduction of threading dislocation density in A1_(0.12)Ga_(0.88)N epilayers by a multistep technique

Teemu Lang, Maxim Odnoblydov, Vladislav Bougrov, Sami Suihkonen, Olli Svensk, Pekka Törmä, Markku Sopanen, Harri Lipsanen

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut276-280
    JulkaisuJournal of Crystal Growth
    Vuosikerta298
    TilaJulkaistu - 2007
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • A1GaN
    • MOCVD
    • nucleation
    • threading dislocations

    Siteeraa tätä