Rapid Thermal Annealing of Si(1-x)Ge(x) Layers Formed by Germanium Ion Implantation

Z. Xia, J. Saarilahti, H. Ronkainen, S. Eränen, I. Suni, J. Molarius, P. Kuivalainen, E. Ristolainen, T. Tuomi

    Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

    6 Sitaatiot (Scopus)
    AlkuperäiskieliEnglanti
    Sivut247-254
    JulkaisuNuclear Instruments and Methods
    NumeroB 88
    TilaJulkaistu - 1994
    OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

    • ion implantation
    • rapid thermal annealing
    • SiGe layer
    • SIMS

    Siteeraa tätä