Random deposition as a growth mode in atomic layer deposition

Riikka L. Puurunen*

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

52 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

Despite the increasing number of successful applications of material growth by atomic layer deposition (ALD), the description of many physicochemical processes that occur during ALD growth is still incomplete. The way the material is arranged on the surface during ALD growth, called the ALD growth mode, defines important material properties, such as when the substrate gets fully covered by the ALD-grown material, and the surface roughness. This work initiates the theoretical description of ALD growth modes by describing the random deposition growth mode, both qualitatively and quantitatively, by using the growth per cycle as a statistical quantity.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut159-170
Sivumäärä12
JulkaisuChemical Vapor Deposition
Vuosikerta10
Numero3
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - kesäkuuta 2004
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Random deposition as a growth mode in atomic layer deposition'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä