Radiation-induced alloy rearrangement in InxGa1− xN

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • CSIC
  • Otto von Guericke University Magdeburg
  • University of the Basque Country

Kuvaus

The effect of radiation damage on the defect and alloy structure in InxGa1− xN thin films grown on Si substrates was studied using positron annihilation spectroscopy. Prior to the measurements, the samples were subjected to double He+ implantation at 40 and 100 keV. The results show the presence of cation vacancy-like defects in high concentrations (>1018 cm−3) already in the as-grown samples. The evolution of the annihilation characteristics after the implantation suggests strong alloy disorder rearrangement under irradiation.

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli132104
Sivut1-4
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta110
Numero13
TilaJulkaistu - 27 maaliskuuta 2017
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Lataa tilasto

Ei tietoja saatavilla

ID: 11609522