Quantum memristors with superconducting circuits

J. Salmilehto, F. Deppe, M. Di Ventra, M. Sanz, E. Solano*

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

32 Sitaatiot (Scopus)
157 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Memristors are resistive elements retaining information of their past dynamics. They have garnered substantial interest due to their potential for representing a paradigm change in electronics, information processing and unconventional computing. Given the advent of quantum technologies, a design for a quantum memristor with superconducting circuits may be envisaged. Along these lines, we introduce such a quantum device whose memristive behavior arises from quasiparticle-induced tunneling when supercurrents are cancelled. For realistic parameters, we find that the relevant hysteretic behavior may be observed using current state-of-the-art measurements of the phase-driven tunneling current. Finally, we develop suitable methods to quantify memory retention in the system.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli42044
Sivut1-6
JulkaisuScientific Reports
Vuosikerta7
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 14 helmik. 2017
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Quantum memristors with superconducting circuits'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä