Properties of Individual Dopant Atoms in Single-Layer MoS2: Atomic Structure, Migration, and Enhanced Reactivity

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2857-2861
JulkaisuAdvanced Materials
Vuosikerta26
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • doping, MoS2

ID: 757202