Properties of Individual Dopant Atoms in Single-Layer MoS2: Atomic Structure, Migration, and Enhanced Reactivity

Y.-C. Lin, D.O. Dumcenco, H.-P. Komsa, Y. Niimi, A.V. Krasheninnikov, Y.-S. Huang, K. Suenaga

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

181 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut2857-2861
JulkaisuAdvanced Materials
Vuosikerta26
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • doping
  • MoS2

Siteeraa tätä