Properties of atomic-layer-deposited ultra-thin AlN films on GaAs surfaces

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

Organisaatiot

  • Beneq Oy

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut570-574
Sivumäärä5
JulkaisuApplied Surface Science
Vuosikerta314
TilaJulkaistu - 30 syyskuuta 2014
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

ID: 957613