Properties of AlN grown by plasma enhanced atomic layer deposition

Markus Bosund, Timo Sajavaara, Mikko Laitinen, Teppo Huhtio, Matti Putkonen, Veli-Matti Airaksinen, Harri Lipsanen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

108 Sitaatiot (Scopus)
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut7827-7830
Sivumäärä4
JulkaisuApplied Surface Science
Vuosikerta257
Numero17
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 15 kesäk. 2011
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • Aluminum nitride
  • Atomic Layer Deposition
  • Plasma

Siteeraa tätä