(poster) Temperature dependence of light-induced degradation in copper-contaminated silicon

Jeanette Lindroos, Yacine Boulfard, Marko Yli-Koski, Hele Savin

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaAbstractScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

Copper is a common 3d transition metal impurity in silicon solar cells, which in its interstitial state causes light-induced degradation (LID) in crystalline silicon even without any boron or oxygen. Even though copper contamination increases the degradation rate, the activation energy in copper-contaminated silicon appears to be similar to the energy barrier required for boron-oxygen defect formation.
AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2014
OKM-julkaisutyyppiEi sovellu
TapahtumaEuropean Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition - Amsterdam, Alankomaat
Kesto: 22 syysk. 201426 syysk. 2014
Konferenssinumero: 29

Conference

ConferenceEuropean Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
Maa/AlueAlankomaat
KaupunkiAmsterdam
Ajanjakso22/09/201426/09/2014

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin '(poster) Temperature dependence of light-induced degradation in copper-contaminated silicon'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä