(poster) Silicon surface passivation with atomic layer deposited aluminum nitride

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaAbstractScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2015
OKM-julkaisutyyppiEi sovellu
TapahtumaInternational Conference on Defects in Semiconductors - Espoo, Suomi
Kesto: 27 heinäk. 201531 heinäk. 2015
Konferenssinumero: 28

Conference

ConferenceInternational Conference on Defects in Semiconductors
LyhennettäICDS
Maa/AlueSuomi
KaupunkiEspoo
Ajanjakso27/07/201531/07/2015

Siteeraa tätä