(poster) Reduction of defect density at Ge/Al2O3 interface using GeO2 interfacial layers

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaAbstractScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaHyväksytty/In press - 27 tammik. 2022
OKM-julkaisutyyppiEi oikeutettu
TapahtumaConference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology - Mondsee, Itävalta
Kesto: 11 syysk. 202217 syysk. 2022

Conference

ConferenceConference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
LyhennettäGADEST
Maa/AlueItävalta
KaupunkiMondsee
Ajanjakso11/09/202217/09/2022

Siteeraa tätä