(poster) Effect of light induced change in built-in potential on carrier lifetime in epitaxial wafers

Hele Savin (Väinölä); Marko Yli-Koski; Juha Sinkkonen

(poster) Effect of light induced change in built-in potential on carrier lifetime in epitaxial wafers

Hele Savin (Väinölä)^*
, Marko Yli-Koski
, Juha Sinkkonen

^*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Abstract › Scientific › vertaisarvioitu

Alkuperäiskieli	Englanti
Tila	Julkaistu - 2001
OKM-julkaisutyyppi	Ei sovellu
Tapahtuma	International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors - Rimini, Italia Kesto: 24 syysk. 2001 → 28 syysk. 2001 Konferenssinumero: 9th

Conference

Conference	International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
Lyhennettä	DRIP IX
Maa/Alue	Italia
Kaupunki	Rimini
Ajanjakso	24/09/2001 → 28/09/2001

Siteeraa tätä

@conference{b910957d131f4b2ebf875d9b448e97eb,

title = "(poster) Effect of light induced change in built-in potential on carrier lifetime in epitaxial wafers",

author = "\{Savin (V{\"a}in{\"o}l{\"a})\}, Hele and Marko Yli-Koski and Juha Sinkkonen",

year = "2001",

language = "English",

note = "International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, DRIP IX ; Conference date: 24-09-2001 Through 28-09-2001",

}

(poster) Effect of light induced change in built-in potential on carrier lifetime in epitaxial wafers. / Savin (Väinölä), Hele ; Yli-Koski, Marko; Sinkkonen, Juha.
2001. Abstraktin lähde: International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors, Rimini, Italia.

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussa › Abstract › Scientific › vertaisarvioitu

TY - CONF

T1 - (poster) Effect of light induced change in built-in potential on carrier lifetime in epitaxial wafers

AU - Savin (Väinölä), Hele

AU - Yli-Koski, Marko

AU - Sinkkonen, Juha

N1 - Conference code: 9th

PY - 2001

Y1 - 2001

M3 - Abstract

T2 - International Conference on Defects: Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors

Y2 - 24 September 2001 through 28 September 2001

ER -