Positron trapping at thermal vacancies in highly As-doped Si

Tutkimustuotos: Lehtiartikkelivertaisarvioitu

Tutkijat

  • K. Pennanen
  • V. Ranki
  • K. Saarinen

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut189-192
JulkaisuPhysica B
Vuosikerta376-377
TilaJulkaistu - 2006
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

    Tutkimusalat

  • positron

ID: 3551634