Positron states at vacancy-impurity pairs in semiconductors

S. Mäkinen*, M. J. Puska

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

32 Sitaatiot (Scopus)
99 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Positron states at pure monovacancies and divacancies and vacancy-phosphorus pairs in Si as well as at As vacancies and As-vacancy As-antisite pairs in GaAs are calculated. The dependence of the positron lifetime on the lattice relaxation around the defects is studied, and the effects related to the screening of positrons are discussed. The calculations are based on superimposing free atoms. The ability of the method to describe positron states at charged defects is demonstrated.

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut12523-12526
Sivumäärä4
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta40
Numero18
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 15 joulukuuta 1989
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Positron states at vacancy-impurity pairs in semiconductors'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä