Plasma-enhanced atomic layer deposited SiO2 enables positive thin film charge and surface recombination velocity of 1.3 cm/s on germanium

Hanchen Liu*, Toni Pasanen, Oskari Leiviskä, Joonas Isometsä, John Fung, Marko Yli-Koski, Mikko Miettinen, Pekka Laukkanen, Ville Vähänissi, Hele Savin

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

1 Sitaatiot (Scopus)
47 Lataukset (Pure)

Hakutulokset