Photoluminescence study of strain induced GaInNAs/GaAs quantum dots

Tutkimustuotos: Työpaperi

Tutkijat

Organisaatiot

Yksityiskohdat

AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut227-230
TilaJulkaistu - 2002
OKM-julkaisutyyppiD4 Julkaistut kehitykset tai tutkimusraportit tai tutkimukset

Julkaisusarja

NimiThe 4th International Conference on Materials for Microelectronics and Nanoengineering ICMMN-4, Espoo, Finland, 10-12 June, 2002

    Tutkimusalat

  • semiconductors, synchrotron x-ray topography

ID: 4132257