Photodegradation of surface passivated GaAs nanowires

P. A. Alekseev, A. N. Smirnov, V. Yu Davydov, Tuomas Haggrén, Harri Lipsanen, M. S. Dunaevskiy, V. L. Berkovits

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliConference articleScientificvertaisarvioitu

4 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Efficiency of in situ AlGaAs and GaP and ex situ nitride surface passivation of p+ GaAs nanowires was studied. The efficiency was estimated by comparing of the photoluminescence intensity of the passivated nanowires with the unpassivated nanowire. The AlGaAs and nitride passivation lead to the increasing of the PL intensity by three orders of magnitude while the GaP passivation increases PL intensity only by one order. Photodegradation of the passivated NWs under intensive laser illumination was observed. AlGaAs, GaP and nitride passivated NWs photodegrade after one-minute exposure under laser power densities of 500, 300 and 30 kW/cm2, respectively.

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli012002
JulkaisuJournal of Physics: Conference Series
Vuosikerta1461
Numero1
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 23 huhtikuuta 2020
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaInternational Conference on Metamaterials and Nanophotonics - St. Petersburg, Venäjä
Kesto: 15 heinäkuuta 201919 heinäkuuta 2019
Konferenssinumero: 4

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Photodegradation of surface passivated GaAs nanowires'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Siteeraa tätä

    Alekseev, P. A., Smirnov, A. N., Davydov, V. Y., Haggrén, T., Lipsanen, H., Dunaevskiy, M. S., & Berkovits, V. L. (2020). Photodegradation of surface passivated GaAs nanowires. Journal of Physics: Conference Series, 1461(1), [012002]. https://doi.org/10.1088/1742-6596/1461/1/012002