Particle detectors made of high resistivity Czochralski grown silicon

J. Härkönen, E. Tuovinen, P. Luukka, E. Tuominen, K. Lassila-Perini, J. Nysten, Z. Li, V. Eremin, A. Ivanov, E. Verbitskaya, P. Heikkilä, V. Ovchinnikov, M. Yli-Koski, P. Laitinen, I. Riihimäki, A. Virtanen

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

4 Sitaatiot (Scopus)

Abstrakti

We describe the fabrication process of fullsize silicon microstrip detectors processed on silicon wafers grown by magnetic Czochralski method. Defect analysis by DLTS spectroscopy as well as minority carrier lifetime measurements by µPCD method are presented. The electrical and detection properties of the Czochralski silicon detectors are comparable to those of leading commercial detector manufacturers. The radiation hardness of the Czochralski silicon detectors was proved to be superior to the devices made of traditional Float Zone silicon material.
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivut88-90
JulkaisuPhysica Scripta
VuosikertaT114
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2004
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Particle detectors made of high resistivity Czochralski grown silicon'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Siteeraa tätä

    Härkönen, J., Tuovinen, E., Luukka, P., Tuominen, E., Lassila-Perini, K., Nysten, J., ... Virtanen, A. (2004). Particle detectors made of high resistivity Czochralski grown silicon. Physica Scripta, T114, 88-90. https://doi.org/10.1088/0031-8949/2004/T114/021