Parity effect in Al and Nb single electron transistors in a tunable environment

Alexander Savin, Matthias Meschke, Jukka Pekola, Ya.A. Pashkin, T.F. Li, H. Im, J.S. Tsai

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

8 Sitaatiot (Scopus)
14 Lataukset (Pure)

Abstrakti

Two different types of Cooper pair transistors, with Al and Nb islands, have been investigated in a tunable electromagnetic environment. The device with an Al island demonstrates gate charge modulation with 2e periodicity in a wide range of environmental impedances at bath temperatures below 340mK. Contrary to the results of the Al sample, the authors were not able to detect 2e periodicity under any conditions on similar samples with Nb island. The authors attribute this to the material properties of Nb.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli063512
Sivut1-3
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta91
Numero6
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2007
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • single elctron transistor

Sormenjälki Sukella tutkimusaiheisiin 'Parity effect in Al and Nb single electron transistors in a tunable environment'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

  • Siteeraa tätä