Oxygen-related defects in Si and GaAs

M. Pesola, Y.-J. Lee, R.M. Nieminen, J. von Boehm

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoPSIK-2000 Conference, Schwäbisch Gmund, 22-26 August 2000,
Sivut95
TilaJulkaistu - 2000
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa

Tutkimusalat

  • GaAs
  • oxygen defect
  • silicon

Siteeraa tätä

Pesola, M., Lee, Y-J., Nieminen, R. M., & von Boehm, J. (2000). Oxygen-related defects in Si and GaAs. teoksessa PSIK-2000 Conference, Schwäbisch Gmund, 22-26 August 2000, (Sivut 95)