Overlapping-gate architecture for silicon Hall bar MOSFET devices in the low electron density and high magnetic field regime

Laurens H. Willems van Beveren*, Kuan Y. Tan, Nai-Shyan Lai, Oleh Klochan, Andrew S. Dzurak, Alex R. Hamilton

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Overlapping-gate architecture for silicon Hall bar MOSFET devices in the low electron density and high magnetic field regime'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Physics & Astronomy