Overlapping-gate architecture for silicon Hall bar MOSFET devices in the low electron density and high magnetic field regime

Laurens H. Willems van Beveren*, Kuan Y. Tan, Nai-Shyan Lai, Oleh Klochan, Andrew S. Dzurak, Alex R. Hamilton

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaConference contributionScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

A common issue in low temperature measurements of enhancement-mode metal-oxide-semiconductor (MOS) field-effect transistors (FETs) in the low electron density regime is the high contact resistance dominating the device impedance. In that case a voltage bias applied across the source and drain contact of a Hall bar MOSFET will mostly fall across the contacts (and not across the channel) and therefore magneto-transport measurements become challenging. However, from a physical point of view, the study of MOSFET nanostructures in the low electron density regime is very interesting (impurity limited mobility [1], carrier interactions [2,3] and spin-dependent transport [4]) and it is therefore important to come up with solutions [5,6] that work around the problem of a high contact resistance in such devices (c.f. Fig. 1 (a)).

AlkuperäiskieliEnglanti
OtsikkoADVANCED MATERIALS AND NANOTECHNOLOGY
ToimittajatBJ Ruck, T Kemmitt
KustantajaTrans Tech Publications Ltd.
Sivut93-95
Sivumäärä3
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 2012
OKM-julkaisutyyppiA4 Artikkeli konferenssijulkaisuussa
TapahtumaConference on Advanced Materials and Nanotechnology - Wellington, Uusi-Seelanti
Kesto: 7 helmik. 201111 helmik. 2011
Konferenssinumero: 5

Julkaisusarja

NimiMaterials Science Forum
KustantajaTRANS TECH PUBLICATIONS LTD
Vuosikerta700
ISSN (painettu)0255-5476

Conference

ConferenceConference on Advanced Materials and Nanotechnology
LyhennettäAMN
Maa/AlueUusi-Seelanti
KaupunkiWellington
Ajanjakso07/02/201111/02/2011

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Overlapping-gate architecture for silicon Hall bar MOSFET devices in the low electron density and high magnetic field regime'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä