Overlapping-gate architecture for silicon Hall bar field-effect transistors in the low electron density regime

L. H. Willems van Beveren*, K. Y. Tan, N. S. Lai, A. S. Dzurak, A. R. Hamilton

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Overlapping-gate architecture for silicon Hall bar field-effect transistors in the low electron density regime'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Physics & Astronomy