Overlapping-gate architecture for silicon Hall bar field-effect transistors in the low electron density regime

L. H. Willems van Beveren*, K. Y. Tan, N. S. Lai, A. S. Dzurak, A. R. Hamilton

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

We report the fabrication and study of Hall bar field-effect transistors in which an overlapping-gate architecture allows four-terminal measurements of low-density two-dimensional electron systems while maintaining a high density at the Ohmic contacts. Comparison with devices made using a standard single gate show that measurements can be performed at much lower densities and higher channel resistances, despite a reduced peak mobility. We also observe a voltage threshold shift which we attribute to negative oxide charge, injected during electron-beam lithography processing. (c) 2010 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3501136]

AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli152102
Sivumäärä3
JulkaisuApplied Physics Letters
Vuosikerta97
Numero15
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - 11 lokak. 2010
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Overlapping-gate architecture for silicon Hall bar field-effect transistors in the low electron density regime'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä