Origin of band gap bowing in dilute GaAs1-xNx and GaP1-xNx alloys: a real-space view

V. Virkkala, V. Havu, F. Tuomisto, M.J. Puska

Tutkimustuotos: LehtiartikkeliArticleScientificvertaisarvioitu

20 Sitaatiot (Scopus)
331 Lataukset (Pure)

Abstrakti

The origin of the band gap bowing in dilute nitrogen doped gallium based III-V semiconductors is largely debated. In this paper we show the dilute GaAs1−xNx and GaP1−xNx as representative examples that the nitrogen-induced states close to the conduction band minimum propagate along the zigzag chains on the {110} planes. Thereby states originating from different N atoms interact with each other resulting in broadening of the nitrogen-induced states which narrows the band gap. Our modeling based on ab initio theoretical calculations explains the experimentally observed N concentration dependent band gap narrowing both qualitatively and quantitatively.
AlkuperäiskieliEnglanti
Artikkeli035204
Sivut1-6
Sivumäärä6
JulkaisuPhysical Review B
Vuosikerta88
Numero3
DOI - pysyväislinkit
TilaJulkaistu - heinäkuuta 2013
OKM-julkaisutyyppiA1 Julkaistu artikkeli, soviteltu

Tutkimusalat

  • band gap
  • GaAs
  • GaP
  • semiconductor

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin 'Origin of band gap bowing in dilute GaAs<sub>1-x</sub>N<sub>x</sub> and GaP<sub>1-x</sub>N<sub>x</sub> alloys: a real-space view'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä