(oral talk) Surface Passivation and Charge Transfer at TiO2/Si Interface

Xiaolong Liu*, Ramsha Khan, Hannu Pasanen, Harri Ali-Löytty, Ville Vähänissi, Mika Valden, Nikolai V. Tkachenko, Hele Savin

*Tämän työn vastaava kirjoittaja

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaAbstractScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

Titanium dioxide (TiO2) is widely employed in photoelectric applications. This study investigates the surface passivation and charge transfer dynamics of a TiO2 layer grown on Si by atomic layer deposition (ALD). We analyze the passivation effect of TiO2 by measuring carrier lifetime and surface barrier height, and study charge transfer dynamics at TiO2/Si using contactless transient reflectance spectroscopy. Results show that a proper chemical treatment on p-Si prior to ALD enhances both the charge transfer properties and passivation effects.
AlkuperäiskieliEnglanti
Sivumäärä2
TilaJulkaistu - 2023
OKM-julkaisutyyppiEi sovellu
TapahtumaSolid State Devices and Materials -
Kesto: 1 tammik. 1958 → …

Conference

ConferenceSolid State Devices and Materials
LyhennettäSSDM
Ajanjakso01/01/1958 → …

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin '(oral talk) Surface Passivation and Charge Transfer at TiO2/Si Interface'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä