(oral talk) Impact of upconverting atomic layer deposited Er2O3 on Si solar cell surface passivation

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaAbstractScientificvertaisarvioitu

Abstrakti

Si solar cell cannot absorb photon with energy less than 1.1 eV bandgap. Er2O3, as a solution, absorbs low-energy photons and emits higher-energy photons. Si solar cell also suffers from recombination of photogenerated charge carriers at surface. We study surface passivation property of (i) bare ALD Er2O3 or Er2O3 deposited on top of (ii) SiO2 or (iii) Al2O3 by measuring minority carrier lifetime.
AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 30 toukok. 2024
OKM-julkaisutyyppiEi oikeutettu
TapahtumaOptics & Photonics Days - Helsinki, Suomi
Kesto: 28 toukok. 202430 toukok. 2024

Conference

ConferenceOptics & Photonics Days
LyhennettäOPD
Maa/AlueSuomi
KaupunkiHelsinki
Ajanjakso28/05/202430/05/2024

Sormenjälki

Sukella tutkimusaiheisiin '(oral talk) Impact of upconverting atomic layer deposited Er2O3 on Si solar cell surface passivation'. Ne muodostavat yhdessä ainutlaatuisen sormenjäljen.

Siteeraa tätä