Siirry päänavigointiin Siirry hakuun Siirry pääsisältöön

(oral talk) Doping in silicon affects the blistering of ALD-grown aluminium oxide

  • Helsinki Inst. of Phys.
  • Universitat de Vic – Universitat Central de Catalunya

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaAbstractScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2019
OKM-julkaisutyyppiEi sovellu
TapahtumaConference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology - Seehotel Zeuthen, Zeuthen, Saksa
Kesto: 22 syysk. 201927 syysk. 2019
Konferenssinumero: 18
https://www.gadest2019.org/index.php

Conference

ConferenceConference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
LyhennettäGADEST
Maa/AlueSaksa
KaupunkiZeuthen
Ajanjakso22/09/201927/09/2019
www-osoite
  • PREIN: Fotoniikan Tutkimus ja Innovaatio

    Mäkelä, K. (Vastuullinen johtaja)

    01/01/201931/12/2022

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

  • -: Fotoniikan Tutkimus ja Innovaatio

    Savin, H. (Vastuullinen johtaja), Rauha, I. (Projektin jäsen), Mulbagal Rajanna, P. (Projektin jäsen), Ayedh, H. (Projektin jäsen), Liu, H. (Projektin jäsen) & Vähänissi, V. (Projektin jäsen)

    01/01/201931/12/2022

    Projekti: Academy of Finland: Other research funding

Siteeraa tätä