(oral talk) Controlling charge polarity and defect density at Ge/Al2O3 interface using SiNx interlayer

Tutkimustuotos: Artikkeli kirjassa/konferenssijulkaisussaAbstractScientificvertaisarvioitu

AlkuperäiskieliEnglanti
TilaJulkaistu - 2022
OKM-julkaisutyyppiEi oikeutettu
TapahtumaConference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology - Mondsee, Itävalta
Kesto: 11 syysk. 202217 syysk. 2022

Conference

ConferenceConference on Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
LyhennettäGADEST
Maa/AlueItävalta
KaupunkiMondsee
Ajanjakso11/09/202217/09/2022

Siteeraa tätä